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制造商型号: RFM04U6P(TE12L,F
制造商: Toshiba
描述: 射频 MOSFET,N沟道,16V,2A,PW-Mini
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型功率增益13.3 dB
安装类型表面贴装
宽度2.5mm
封装类型2-5K1D,SC-62
尺寸4.6 x 2.5 x 1.6mm
引脚数目3
最大功率耗散7 W
最大栅源电压3 V
最大漏源电压16 V
最大连续漏极电流2 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别UHF、VHF
通道类型N
配置
长度4.6mm
高度1.6mm
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