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QS8J1TR|Rohm Semiconductor
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制造商型号: QS8J1TR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8
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产品信息
数据列表 QS8J1
产品相片 TSMT8
产品目录绘图 MOSFET TSMT-8
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)29 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2450pF @ 6V
功率 - 最大值1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳TSMT8
供应商器件封装TSMT8
产品目录页面1639 (CN2011-ZH PDF)
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