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场效应管 MOSFET 双 NN 30V 2A
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
2A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
154mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
1.25W
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封装类型:
TSMT
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针脚数:
5
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
10ns
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下降时间:
8ns
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封装/箱盒:
TSMT5
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模块配置:
双
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漏极电流, Id 最大值:
2A
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漏源电压 Vds, N沟道:
30V
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
2.5V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电容值, Ciss 典型值:
175pF
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电流, Idm 脉冲:
8A
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表面安装器件:
SMD
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连续漏极电流 Id, N沟道:
2A
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通态电阻 Rds(on), N沟道:
0.071ohm
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阈值电压, Vgs th 最低:
500mV
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阈值电压, Vgs th 最高:
1.5V
产地:
KR
Korea (Republic of)