数据列表 | PZT651T1 |
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产品相片 | SOT223-3L |
产品变化通告 | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
标准包装 | 10 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 剪切带 (CT) |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 75 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 800mW |
频率 - 跃迁 | 75MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | PZT651T1OSCT |