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制造商型号： PTFA190451E V1
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 45 W
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:1.93 GHz to 1.99 GHz
增益:17.5 dB
输出功率:45 W
汲极/源极击穿电压:65 V
漏极连续电流:450 mA
闸/源击穿电压:12 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:H-36265-2
封装:Tray
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:211 W
电阻汲极/源极 RDS（导通）:910 mOhms
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