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PTFA181001HLV1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
PTFA181001HLV1
制造商:
Infineon Technologies
描述:
射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Infineon
产品种类:
射频MOSFET电源晶体管
RoHS:
符合
配置:
Single
晶体管极性:
N-Channel
频率:
1.8 GHz to 1.88 GHz
增益:
16.5 dB
输出功率:
100 W
汲极/源极击穿电压:
65 V
漏极连续电流:
750 mA
闸/源击穿电压:
12 V
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
PG-37248-2
封装:
Tray
安装风格:
SMD/SMT
功率耗散:
407 W
询价
*所需产品:
型号: PTFA181001HLV1 品牌: Infineon Technologies 备注: 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC
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备注内容:
电脑版
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