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制造商型号: PTFA091201HLV1R250
制造商: Infineon Technologies
描述: 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:920 MHz to 960 MHz
增益:18.5 dB
输出功率:120 W
汲极/源极击穿电压:65 V
漏极连续电流:750 mA
闸/源击穿电压:12 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:PG-64248-2
封装:Reel
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:625 W
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