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制造商型号： PTF080101SV1
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
汲极/源极击穿电压:65 V
闸/源击穿电压:- 0.5 V, + 12 V
最大工作温度:+ 200 C
封装 / 箱体:32259
封装:Reel
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:58 W
电阻汲极/源极 RDS（导通）:830 mOhms
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