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PSMN6R0-30YLB,115|NXP Semiconductors
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制造商型号: PSMN6R0-30YLB,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 30V LFPAK
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产品信息
数据列表 PSMN6R0-30YLB
标准包装  1,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)71A (Tmb)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1088pF @ 15V
功率 - 最大值58W
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK,Power-SO8
其它名称568-9718-2
PSMN6R0-30YLB,115-ND
PSMN6R0-30YLB115
PSMN6R030YLB115
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