  |
  |
您现在的位置：首页 > PSMN2R0-30PL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PSMN2R0-30PL
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A TO-220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A TO-220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A TO-220AB
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 100A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 1.7mohm
- 电压 @ Rds测量: 20V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
- 功耗, Pd: 211W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- MSL: (Not Applicable)
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 最大值: 100A
- 电压, Vgs 最高: 20V
询价