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| PSMN012-60YS,115 Nexperia MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET RoHS: Compliant 搜索 |
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| PSMN012-60YS,115 Nexperia MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK rdson 0.0178 OHM Power SO8 package RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| PSMN012-60YS,115 NXP Semiconductors | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8 型号：PSMN012-60YS,115 仓库库存编号：1727-4288-1-ND 别名：1727-4288-1 <br>568-4977-1 <br>568-4977-1-ND <br> |  |
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制造商型号： PSMN012-60YS,115
制造商： NXP Semiconductors
描述： MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP Semiconductors
描述： MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | PSMN012-60YS |
|---|---|
| 产品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 59A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 28.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1685pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 89W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 供应商器件封装 | LFPAK，Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4977-2 |
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