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PMZ1000UN,315|NXP Semiconductors
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制造商型号: PMZ1000UN,315
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH SOT883
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产品信息
数据列表 PMZ1000UN
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)480mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)43pF @ 25V
功率 - 最大值350mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-101,SOT-883
供应商器件封装SOT-883
其它名称568-7439-2
PMZ1000UN,315-ND
PMZ1000UN315
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