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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMWD26UN
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟??? TSSOP-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟??? TSSOP-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 TSSOP-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 5.2A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 26mohm
- 功耗, Pd: 2.3W
- 封装类型: TSSOP
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 上升时间: 22ns
- 下降时间: 33ns
- 封装/箱盒: TSSOP
- 总功率, Ptot: 2.3W
- 时间, t off: 56ns
- 时间, t on: 14ns
- 晶体管数: 2
- 栅极电荷 Qg P沟道: 23.6nC
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vgs 最高: 10V
- 电流, Idm 脉冲: 18A
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 26mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 0.45V
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