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制造商型号: PMV65XP,21
制造商: NXP
描述: MOSFET,P沟道,20V,3.9A,TO236AB
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间68 ns
典型接通延迟时间7 ns
典型栅极电荷@Vgs7.6 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds725 pF V @ 20
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型TO-236AB
尺寸3 x 1.4 x 1mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1920 mW
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.076 Ω
最大连续漏极电流3.9 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度3mm
高度1mm
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