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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMV213SN.215
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 每卷3K
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 每卷3K
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N 每卷3K
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 1.9A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 250mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 2W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 外宽: 3.05mm
- 外部深度: 2.5mm
- 外部长度/高度: 1.12mm
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 带子宽度: 8mm
- 总功率, Ptot: 2W
- 晶体管数: 1
- 每卷数量: 3000
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 1.9A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs 最高: 30V
- 电流, Idm 脉冲: 7.6A
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
询价