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PMV117EN215|NXP
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制造商型号: PMV117EN215
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2.5A SOT23
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2.5A SOT23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 500mA
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 117mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 830mW
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 漏极电流, Id 最大值: 2.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 37V
  • 电压, Vgs 最高: 2V
  • 表面安装器件: SMD
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