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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMN45EN,135
制造商： NXP
描述： PMN 系列 30 V 40 mΩ 1.75 W TrenchMOS 增强 逻辑电平 FET - SOT-457
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： PMN 系列 30 V 40 mΩ 1.75 W TrenchMOS 增强 逻辑电平 FET - SOT-457
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 40 mΩ
- Qg Gate Charge: 6.1 nC
- Rated Power Dissipation: 1.75 W
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