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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMGD780SN,115
制造商： NXP
描述： PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: Dual N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 920 mΩ
- Qg Gate Charge: 1.05 nC
- Rated Power Dissipation: 0.41 W
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