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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PMGD280UN115
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
- 晶体管极性: 双N沟道
- 电流, Id 连续: 200mA
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 340mohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 700mV
- 功耗, Pd: 400mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-363
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装/箱盒: SOT-363
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管类型: 增强
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 870mA
- 漏源电压 Vds, N沟道: 20V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: 20V
- 电压, Vgs 最高: 8V
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 870mA
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.28ohm
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