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PMFPB8032XP,115|NXP Semiconductors
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制造商型号: PMFPB8032XP,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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产品信息
产品相片 SOT1118
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 沟道肖特基,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)102 毫欧 @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)550pF @ 10V
功率 - 最大值485mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-HUSON(2X2)
其它名称934066583115
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