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PMDT290UNE|NXP
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制造商型号: PMDT290UNE
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 双路 20V 800mA SOT666
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 双路 20V 800mA SOT666
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 800mA
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 0.29ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 750mV
  • 功耗, Pd: 500mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-666
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
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