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产品信息
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场效应管 MOSFET N 每卷4K
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
7.5A
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漏源电压, Vds:
55V
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在电阻RDS(上):
80mohm
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电压 @ Rds测量:
5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
8.3W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOT-223
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
1.8W
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封装/箱盒:
SOT-223
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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总功率, Ptot:
1.8W
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晶体管数:
1
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每卷数量:
4000
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温度 @ 电流测量:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
7.5A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
5V
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电压, Vds 典型值:
55V
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电压, Vgs 最高:
13V
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电流, Idm 脉冲:
40A
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表面安装器件:
SMD
产地:
GB
United Kingdom
询价