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PHT6N06LT,135|NXP Semiconductors
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制造商型号: PHT6N06LT,135
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
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产品信息
数据列表 PHT6N06LT
产品相片 SOT223-3L
PCN Design/Specification Resin Hardener 02/Jul/2013
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)150 毫欧 @ 5A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)330pF @ 25V
功率 - 最大值8.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SC-73
其它名称568-7367-2
934054630135
PHT6N06LT /T3
PHT6N06LT /T3-ND
PHT6N06LT,135-ND
PHT6N06LT135
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