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制造商型号: PHT4NQ10LT,13
制造商: NXP
描述: MOSFET,N沟道,100V,3.5A,SOT223
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间52 ns
典型接通延迟时间4 ns
典型栅极电荷@Vgs12.2 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds374 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度3.7mm
封装类型SC-73
尺寸6.7 x 3.7 x 1.7mm
引脚数目4
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散6900 mW
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.25 Ω
最大连续漏极电流3.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、单
长度6.7mm
高度1.7mm
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