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PHN210T,118|NXP Semiconductors
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制造商型号: PHN210T,118
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 PHN210T
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 20V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称934055451118
PHN210T /T3
PHN210T /T3-ND
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