  |
  |
您现在的位置：首页 > PHK12NQ10T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PHK12NQ10T
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 11.6A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 28mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 8.9W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: PHK12NQ10T
- 功耗, Pd: 8.9W
- 功耗, Pd: 8.9W
- 外宽: 4.05mm
- 外部深度: 5.2mm
- 外部长度/高度: 1.75mm
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 排距: 6.3mm
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 11.6A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 电流, Idm 脉冲: 48A
- 表面安装器件: SMD
询价