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PHD21N06LT,118|NXP Semiconductors
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制造商型号: PHD21N06LT,118
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 55V 19A SOT428
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产品信息
数据列表 PHB,PHD,PHP21N06LT
产品相片 TO-263
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)19A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)70 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)650pF @ 25V
功率 - 最大值56W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK
其它名称934055349118
PHD21N06LT /T3
PHD21N06LT /T3-ND
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