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制造商型号: PHC2102
制造商: NXP
描述: MOSFET,双,N/P沟道,30V,3.5A/2.3A,SOIC8
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs10 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds250 pF V @ 20
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO
尺寸5 x 4 x 1.45mm
引脚数目8
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散2000 mW
最大栅源电压20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.1(N 通道)Ω,0.25(P 通道)Ω
最大连续漏极电流2.3(P 通道)A,3.5(N 通道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.45mm
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