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PHB18NQ10T,118|NXP Semiconductors
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制造商型号: PHB18NQ10T,118
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
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产品信息
数据列表 PHB,PHD,PHP18NQ10T
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)18A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)90 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)633pF @ 25V
功率 - 最大值79W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-ND
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