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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： PHB101NQ03LT
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 30V D2-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 30V D2-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N 30V D2-PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 75A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 5.8mohm
- 功耗, Pd: 166W
- 封装类型: TO-263
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装/箱盒: D2-PAK
- 封装类型, 其它: D2-PAK
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 电压, Vds: 30V
- 电流, Idm 脉冲: 240A
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
询价