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PH5330E115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
PH5330E115
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 30V 80A LFPAK
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 30V 80A LFPAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 15A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 5.7mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-669
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: SOT-669
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 增强
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 30V
表面安装器件: SMD
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型号: PH5330E115 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 30V 80A LFPAK
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