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PEMD24,115|NXP Semiconductors
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制造商型号: PEMD24,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: TRANS PREBIASED DUAL SOT666
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产品信息
数据列表 PEMD,PUMD24
产品相片 SOT666
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)100k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)100k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA
频率 - 跃迁-
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-666
其它名称934058926115
PEMD24 T/R
PEMD24 T/R-ND
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