数据列表 | PBSS4230PANP |
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产品相片 | SOT1118 |
特色产品 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 290mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 510mW |
频率 - 跃迁 | 120MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
其它名称 | 568-10202-2 934066885115 PBSS4230PANP |