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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： NX3008PBKV
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 220mA SOT666
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 220mA SOT666
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 220mA SOT666
- 晶体管极性: 双P沟道
- 电流, Id 连续: -220mA
- 漏源电压, Vds: -30V
- 在电阻RDS（上）: 2.8ohm
- 电压 @ Rds测量: -4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -900mV
- 功耗, Pd: 330mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-666
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 电流, Idm 脉冲: -0.8A
- 阈值电压, Vgs th 最高: 8V
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