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NTS2101PT1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTS2101PT1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
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产品信息
数据列表 NTS2101P
产品相片 SC-70-3_419AB-01
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.4A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)640pF @ 8V
功率 - 最大值290mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SC-70-3(SOT323)
产品目录页面1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称NTS2101PT1GOSTR
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