数据列表 | NTR2101P |
---|---|
产品相片 | SOT-23-3 |
产品变化通告 | LTB Notification 03/Jan/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 8V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | - |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1173pF @ 4V |
功率 - 最大值 | 960mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |