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NTMS4101PR2|ON Semiconductor
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制造商型号: NTMS4101PR2
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 NTMS4101P
产品相片 8-SOIC
产品变化通告 Product Obsolescence 01/Apr/2004
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.9A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)32nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3200pF @ 10V
功率 - 最大值1.38W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称NTMS4101PR2OS
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