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NTMD2P01R2|ON Semiconductor
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制造商型号: NTMD2P01R2
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
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产品信息
数据列表 NTMD2P01R2
产品相片 8-SOIC
产品变化通告 Wire Change 20/Aug/2008
Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)16V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)750pF @ 16V
功率 - 最大值710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称NTMD2P01R2OS
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