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NTLJD3115PTAG|ON Semiconductor
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制造商型号: NTLJD3115PTAG
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN
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产品信息
数据列表 NTLJD3115P
产品相片 6-VDFN_506AN
产品变化通告 Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)531pF @ 10V
功率 - 最大值710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-WDFN(2x2)
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