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NTHC5513T1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTHC5513T1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A
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产品信息
数据列表 NTHC5513
产品相片 8-ChipFET
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.9A,2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)180pF @ 10V
功率 - 最大值1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装ChipFET?
其它名称NTHC5513T1GOS
NTHC5513T1GOS-ND
NTHC5513T1GOSTR
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