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NTD80N02-1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTD80N02-1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
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产品信息
数据列表 NTD80N02
产品相片 DPAK_369D?01
产品变化通告 Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2600pF @ 20V
功率 - 最大值75W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-Pak
其它名称NTD80N02-1GOS
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