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NTD5862N-1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTD5862N-1G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
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产品信息
数据列表 NTD5862N
产品相片 TO-263
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)98A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.7 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6000pF @ 25V
功率 - 最大值96W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装DPAK-3
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