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NTD3808NT4G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTD3808NT4G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
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产品信息
数据列表 NTD3808N
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Obsolescence 19/Dec/2008
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)16V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta), 76A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1660pF @ 12V
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
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