NTB90N02T4,NTB90N02T4|ON Semiconductor代理分销-NTB90N02T4全新原装货

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NTB90N02T4 库存编号:NTB90N02T4OSTR-ND onsemi 询价查看资料	0 523起订 6-10天		询价
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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK 型号：NTB90N02T4 仓库库存编号：NTB90N02T4OSCT-ND 别名：NTB90N02T4OSCT <br>	含铅
	ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK 型号：NTB90N02T4G 仓库库存编号：NTB90N02T4GOSCT-ND 别名：NTB90N02T4GOSCT <br>	无铅

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制造商型号： NTB90N02T4
制造商： ON Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	NTB,NTP90N02
产品相片	TO-263
产品变化通告	Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装	800
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	24V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	90A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	5.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	2120pF @ 20V
功率 - 最大值	85W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	NTB90N02T4OSTR

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