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NTB125N02RT4G|ON Semiconductor
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制造商型号: NTB125N02RT4G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
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产品信息
数据列表 NTB,NTP125N02R
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Obsolescence 13/Apr/2009
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)95A (Ta), 120.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)28nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3440pF @ 20V
功率 - 最大值1.98W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称NTB125N02RT4GOS
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