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NST847BPDP6T5G|ON Semiconductor
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制造商型号: NST847BPDP6T5G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963
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产品信息
数据列表 NST847BPDP6T5G
产品相片 SOT-963_527AD
产品变化通告 Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装  8,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)600mV @ 5mA,100mA / 700mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁100MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-963
供应商器件封装SOT-963
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