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NSS40200UW6T1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NSS40200UW6T1G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN
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产品信息
数据列表 NSS40200UW6T1G
产品相片 6-VDFN_506AP
产品培训模块 Low Vce(sat) BJT Power Savings
产品变化通告 Wire Bond Change 07/Sept/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)300mV @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)150 @ 1A,2V
功率 - 最大值875mW
频率 - 跃迁140MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-WDFN(2x2)
产品目录页面1562 (CN2011-ZH PDF)
其它名称NSS40200UW6T1G-ND
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