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NSBC115EDXV6T1G|ON Semiconductor
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制造商型号: NSBC115EDXV6T1G
制造商: ON Semiconductor
描述: TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
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产品信息
数据列表 MUN5236DW1, NSBC115EDXV6
产品相片 SOT-563-6_463A
产品变化通告 Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)100k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)100k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁-
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563
其它名称NSBC115EDXV6T1G-ND
NSBC115EDXV6T1GOSTR
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