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NP34N055SHE-E1-AY|Renesas Electronics America
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制造商型号: NP34N055SHE-E1-AY
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
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产品信息
数据列表 NP34N055xHE
产品相片 TO-263
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)34A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)19 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2400pF @ 25V
功率 - 最大值1.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252(MP-3ZK)
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