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NMSD200B01-7|Diodes Inc
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制造商型号: NMSD200B01-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
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产品信息
数据列表 NMSD200B01-7
产品相片 SOT-363
其它图纸 SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)200mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)50pF @ 25V
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363
产品目录页面1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称NMSD200B017
NMSD200B01DITR
NMSD200B01TR
NMSD200B01TR-ND
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